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集成创新:探究单芯片电机驱动技术及其在皖南电机中的应用与成本效益

点击次数:0    发布时间:2025-06-04

单芯片电机驱动解决方案

在电机驱动领域,单芯片电机驱动器IC的应用日益广泛。这种驱动器IC由一个硅芯片构成,集成了逻辑、支持与保护电路,并通过MOSFET等功率器件驱动电流至电机。选择单芯片解决方案的一大优势在于MOSFET与控制电路同置于一个芯片上,实现了精确的电流测量。此外,单芯片IC还具备强大的保护功能,如过流保护(OCP)和过热保护(OTP),得益于保护电路可布置在硅片上的MOSFET附近。此类集成驱动器仅适用于与IC工艺兼容的额定电压和电流,*高额定电压通常在80V至100V之间,可驱动电流高达约15A。单芯片驱动器主要应用于打印机等大容量设备,其电源电压通常低于35V,电机电流低于5A。以MPQ6541为例,这是一种适用于汽车的3通道功率级器件,额定电源电压高达45V,连续负载电流为8A,每个通道峰值电流为15A。该电机驱动器集成了六个R DS(ON)为15mΩ的MOSFET,采用TQFN-26、6mm x 5mm倒装芯片封装。

皖南电机价格表

在众多单芯片电机驱动器中,皖南电机提供了一系列高性能产品,其价格表详细列出了不同型号和配置的驱动器。选择合适的单芯片电机驱动器时,参考皖南电机价格表 可以更有效地进行成本控制。

栅极驱动器选择

对于需要超过100V的高电压或极高电流的应用,单芯片解决方案并不适用,此时需要栅极驱动器及独立MOSFET。利用独立功率MOSFET(或特定情况下其他功率器件)通过栅极驱动器IC、预驱动器或多个栅极驱动器来控制电机电流。由于该方案需多个器件(有时多达三个栅极驱动器和六个MOSFET),故解决方案尺寸(即电机驱动器占用的PCB面积)远大于单芯片驱动器。以MPQ6533为例,这是一款具备压摆率控制和内部诊断功能的3通道栅极驱动器IC,采用5mm x 5mm QFN-32封装。

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成本考量

模拟与混合信号IC工艺比专用独立MOSFET工艺复杂,制造低R DS(ON) MOSFET需要大面积硅,导致采用独立MOSFET工艺的器件成本通常高于IC工艺。对于低电流和/或低电压电机驱动器,IC工艺中制造MOSFET的代价较小,而控制和保护功能占据芯片大部分面积,增加的面积不会显著增加成本。然而,对于大电流应用,IC工艺中MOSFET的成本逐渐成为主导,尽管有支持15A电机电流的单芯片电机驱动器,但它们通常比使用栅极驱动器和独立MOSFET的方案更昂贵。在某些情况下,单片部件的小尺寸至关重要,足以证明更昂贵解决方案的合理性。例如,某些系统需要在电机内部集成驱动器,但可用空间有限,此时栅极驱动器和MOSFET的方案可能不适用于受限空间。

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皖南电机

皖南电机在电机驱动领域享有盛誉,其产品以其高性能和可靠性著称。选择皖南电机作为合作伙伴,可以确保您获得*适合您应用需求的电机驱动解决方案。

解决方案尺寸

单芯片驱动器通常小于使用栅极驱动器和独立MOSFET的等效解决方案。例如,MPQ6541占据130mm2,而MPQ6533占据520mm2,是前者的四倍。

散热注意事项

集成创新:探究单芯片电机驱动技术及其在皖南电机中的应用与成本效益

为了有效散发MOSFET中产生的热量,PCB通常用作散热器。较大的封装通常对PCB具有更好的导热性,因此更大的解决方案更有利于散热。这有利于使用栅极驱动器的方案,因为功率MOSFET通常较大。

散热考虑

为了有效散发MOSFET中产生的热量,PCB通常用作散热器。较大的封装通常对PCB具有更好的导热性,这意味着从散热的角度来看,更大的解决方案更有利。这有利于使用栅极驱动器的方案,因为功率MOSFET通常较大。低R DS(ON)功率MOSFET很容易获得,因此在某些情况下——尤其是需要在恶劣环境中运行的应用——热因素可能会排除使用单片驱动器。

单片驱动程序选择

在单片电机驱动器和采用外部MOSFET解决方案的栅极驱动器之间进行选择较为复杂,需权衡成本、解决方案尺寸和热特性。对于微型电机,单片驱动器是*佳选择。同样,对于高功率电机,应选择使用栅极驱动器和独立MOSFET的方案。然而,这两种方案之间存在很大重叠,设计人员应考虑应用规格进行选择。

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